Кадмиум манган телурид CdMnTe 5N

Опис

Кадмиум манган телурид CdMnTe или CMT99,999% 5N чистота, (Cd_0,8-0,9Mn_0,1-0,2Те, Cd_0,63Mn_0,37Те или друг атомски однос Cd_1-xMn_xТе), е синтетизирано соединение од кадмиум, манган и телуриум и кристализирано во хексагонална структура.Кадмиум манган телурид CdMnTe (Cd_1-xMn_xТе) е ветувачки материјал за апликации за детекција на рендген и гама-зраци на собна температура.Со широкопојасниот јаз кој се движи од 1,7-2,2 eV полупроводнички кристал расте со модифицираната метода на лебдечка зона FZM, или методот на патувачки грејач THM или методите Vertical Bridgman VB, тој постигнува висока отпорност, голем волумен на еден кристал и висока Кристал за животен век на мобилност, кој карактеризира различна аксијална дистрибуција на Mn, концентрации на нечистотии, отпорност, без дефекти, ефекти на Хол и спектри на енергетски одговор.Спроводливоста на THM одгледуваниот кристал е слаб N-тип, а VB е P-тип.Кадмиум манган телурид во Western Minmetals (SC) Corporation со 99,999% 5N чистота може да се испорача во големина на прашок, гранула, грутка од 1-20 mm, парче, диск D32, D50 и шипка со вакуумско композитно пакување алуминиумска кеса или како прилагодена спецификација да се дојде до совршено решение.со вакуум композитен алуминиумски пакет.

Апликации

Еден кристал кадмиум-манган-телурид, исто така, ги покажува и ефектите на Pockels и поголемите Фарадеј како ефикасен материјал за оптички изолатор на подолги бранови должини, тој е разреден магнетен полупроводнички материјал кој ја формира основата за многу важни уреди како што се IR детектори, соларни ќелии. , сензор за магнетно поле, видливи и блиски IR ласери и се користат за фотоволтаични филмски ќелии, електро-оптички модулатор и друг оптички фотонапонски материјал.Генерално, нуди неколку потенцијални предности во однос на CdZnTe и вредности како алтернативен детекторски материјал на добро познатите детектори CdZnTe.