Галиум фосфид GaP

Опис

Галиум фосфид GaP, важен полупроводник со уникатни електрични својства како и другите III-V соединени материјали, кристализира во термодинамички стабилната кубна структура ZB, е портокалово-жолт полутранспарентен кристален материјал со индиректен јаз на лента од 2,26 eV (300K), што е синтетизиран од 6N 7N галиум и фосфор со висока чистота и прераснат во еден кристал со техниката Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).Кристалот од галиум фосфид е допиран со сулфур или телуриум за да се добие полупроводник од n-тип, а цинкот се допингува како спроводливост од p-тип за понатамошно производство во саканиот нафора, кој има примена во оптички систем, електронски и други оптоелектронски уреди.Single Crystal GaP нафора може да се подготви Epi-Ready за вашата епитаксијална апликација LPE, MOCVD и MBE.Висококвалитетен монокристален галиум фосфид GaP нафора p-тип, n-тип или непроменета спроводливост во Western Minmetals (SC) Corporation може да се понуди во големина од 2" и 3" (50mm, 75mm дијаметар) , ориентација <100>,<111 > со површинска завршница на процес како исечен, полиран или подготвен за епизоди.

Апликации

Со мала струја и висока ефикасност при емитување светлина, галиум фосфид GaP нафора е погодна за системи со оптички дисплеј како што се евтини црвени, портокалови и зелени диоди што емитуваат светлина (LED) и позадинско осветлување на жолта и зелена LCD итн. и LED чипови кои се произведуваат со ниска до средна осветленост, GaP е исто така широко прифатен како основна подлога за производство на инфрацрвени сензори и камери за следење.

Прашај сега

Детали

Тагови

Техничка спецификација

Галиум фосфид GaP

Висококвалитетен монокристален галиум фосфид GaP нафора или супстрат од типот p, n-тип или неопределена спроводливост во Western Minmetals (SC) Corporation може да се понуди во големина од 2" и 3" (50mm, 75mm) во дијаметар, ориентација <100> , <111> со површинска завршница од како исечена, обвиткана, гравирана, полирана, подготвена за епи-обработена во единечен сад за нафора затворена во алуминиумска композитна кеса или како приспособена спецификација за совршено решение.

бр.	Предмети	Стандардна спецификација
1	Големина на GaP	2"
2	Дијаметар mm	50,8 ± 0,5
3	Метод на раст	LEC
4	Тип на спроводливост	P-тип/Zn-допиран, N-тип/(S, Si,Te)-допиран, не-допиран
5	Ориентација	<1 1 1> ± 0,5°
6	Дебелина μm	(300-400) ± 20
7	Отпорност Ω-cm	0,003-0,3
8	Ориентација Рамен (OF) mm	16±1
9	Идентификација Рамен (IF) mm	8±1
10	Мобилност на сала cm2/Vs мин	100
11	Концентрација на носач cm^-3	(2-20) Е17
12	Дислокација Густина cm^-2макс	2.00E+05
13	Површинска завршница	P/E, P/P
14	Пакување	Единечен сад за нафора затворен во алуминиумска композитна кеса, картонска кутија надвор

Линеарна формула	GaP
Молекуларна тежина	100,7
Кристална структура	Мешавина од цинк
Изглед	Портокалова солидна
Точка на топење	N/A
Точка на вриење	N/A
Густина на 300K	4,14 g/cm³
Енергетски јаз	2,26 eV
Внатрешна отпорност	N/A
CAS број	12063-98-8
EC број	235-057-2

Галиум фосфид GaP нафора, со мала струја и висока ефикасност при емитување светлина, е погодна за системи за оптички дисплеј, како што се евтини црвени, портокалови и зелени диоди што емитуваат светлина (LED) и позадинско осветлување на жолт и зелен LCD, итн и LED чипови кои се произведуваат со ниска до просечна осветленоста, GaP е исто така широко прифатен како основна подлога за производство на инфрацрвени сензори и камери за следење.