Галиум арсенид GaAs

Опис

Галиум арсенидGaAs е Полупроводник со соединение со директна бенд јаз од групата III-V синтетизиран со најмалку 6N 7N висока чистота на галиум и арсен елемент, и одгледан кристал со VGF или LEC процес од поликристален галиум арсенид со висока чистота, изглед на сива боја, кубни кристали со структура на цинк-бленд.Со допинг на јаглерод, силициум, телуриум или цинк за да се добие соодветно n-тип или p-тип и полуизолациона спроводливост, цилиндричниот кристал InAs може да се исече и да се изработи на празно и нафора во како исечено, гравирано, полирано или epi. -подготвен за MBE или MOCVD епитаксијален раст.Нафора со галиум арсенид главно се користи за производство на електронски уреди како што се диоди што емитуваат инфрацрвена светлина, ласерски диоди, оптички прозорци, транзистори со ефект на поле FET, линеарни дигитални ИЦ и соларни ќелии.Компонентите GaAs се корисни во ултра високи радио фреквенции и апликации за брзо електронско префрлување, апликации за засилување со слаб сигнал.Понатаму, подлогата од галиум арсенид е идеален материјал за производство на RF компоненти, микробранова фреквенција и монолитни ИЦ и LED уреди во оптичките комуникации и контролните системи за неговата заситена мобилност во сала, висока моќност и стабилност на температурата.

Испорака

Галиум арсенид GaA во Western Minmetals (SC) Corporation може да се испорача како поликристална грутка или единечна кристална обланда во исечени, гравирани, полирани или подготвени за епизодисти наполитанки во големина од 2" 3" 4" и 6" (50 mm, Дијаметар од 75 mm, 100 mm, 150 mm, со спроводливост од p-тип, n-тип или полуизолациски и ориентација <111> или <100>.Прилагодената спецификација е за совршено решение за нашите клиенти ширум светот.