Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

Епитаксијален (EPI) силиконски нафора

Опис

Епитаксијален силиконски нафораили EPI силиконски нафора, е обланда од полупроводен кристален слој депониран на полираната кристална површина на силиконската подлога со епитаксијален раст.Епитаксијалниот слој може да биде ист материјал како подлогата со хомоген епитаксијален раст или егзотичен слој со специфичен посакуван квалитет со хетероген епитаксијален раст, кој ја усвојува технологијата за епитаксијален раст што вклучува хемиско таложење на пареа CVD, течна фаза епитаксија LPE, како и молекуларен зрак epitaxy MBE за постигнување на највисок квалитет на мала густина на дефектот и добра грубост на површината.Силиконските епитаксијални наполитанки првенствено се користат во производството на напредни полупроводнички уреди, високо интегрирани полупроводнички елементи IC, дискретни и моќни уреди, исто така користени за елемент на диода и транзистор или подлога за ИЦ како биполарен тип, MOS и BiCMOS уреди.Понатаму, повеќеслојните епитаксијални и густи филмски силиконски наполитанки EPI често се користат во примената на микроелектрониката, фотониката и фотоволтаиците.

Испорака

Епитаксијални силиконски наполитанки или EPI силиконски наполитанки во Western Minmetals (SC) Corporation може да се понудат во големина од 4, 5 и 6 инчи (100mm, 125mm, 150mm дијаметар), со ориентација <100>, <111>, отпорност на епислој од <1 ом -cm или до 150ohm-cm, и дебелина на епислој од <1um или до 150um, за да се задоволат различните барања за завршна обработка на гравирана или LTO обработка, спакувана во касета со картонска кутија надвор, или како прилагодена спецификација за совршено решение .

Прашај сега

Детали

Тагови

Техничка спецификација

Епи силиконски нафора

Епитаксијални силиконски наполитанкиили EPI силиконски нафора во Western Minmetals (SC) Corporation може да се понуди во големина од 4, 5 и 6 инчи (100mm, 125mm, 150mm дијаметар), со ориентација <100>, <111>, отпорност на епислој од <1ohm-cm или до 150 оми-см и дебелина на слојот од <1 м или до 150 м, за да се задоволат различните барања за завршна обработка на површината на гравирана или LTO обработка, спакувана во касета со картонска кутија надвор или како приспособена спецификација за совршено решение.

Симбол	Si
Атомски број	14
Атомска тежина	28.09
Категорија на елементи	Металоиден
Група, период, блок	14, 3, П
Кристална структура	Дијамант
Боја	Темно сиво
Точка на топење	1414°C, 1687,15 К
Точка на вриење	3265°C, 3538,15 К
Густина на 300K	2,329 g/cm³
Внатрешна отпорност	3,2E5 Ω-cm
CAS број	7440-21-3
EC број	231-130-8

бр.	Предмети	Стандардна спецификација
1	Општи карактеристики
1-1	Големина	4"	5"	6"
1-2	Дијаметар mm	100±0,5	125±0,5	150±0,5
1-3	Ориентација	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	Карактеристики на епитаксијален слој
2-1	Метод на раст	CVD	CVD	CVD
2-2	Тип на спроводливост	P или P+, N/ или N+	P или P+, N/ или N+	P или P+, N/ или N+
2-3	Дебелина μm	2,5-120	2,5-120	2,5-120
2-4	Дебелина Еднообразност	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	Отпорност Ω-cm	0,1-50	0,1-50	0,1-50
2-6	Униформност на отпорност	≤3%	≤5%	-
2-7	Дислокација cm-2	<10	<10	<10
2-8	Квалитет на површината	Не останува чипс, магла или кора од портокал итн.
3	Рачка Карактеристики на подлогата
3-1	Метод на раст	CZ	CZ	CZ
3-2	Тип на спроводливост	P/N	P/N	P/N
3-3	Дебелина μm	525-675	525-675	525-675
3-4	Дебелина Еднообразност макс	3%	3%	3%
3-5	Отпорност Ω-cm	Како што се бара	Како што се бара	Како што се бара
3-6	Униформност на отпорност	5%	5%	5%
3-7	TTV μm макс	10	10	10
3-8	Лак μm макс	30	30	30
3-9	Искривување μm макс	30	30	30
3-10	EPD cm-2 max	100	100	100
3-11	Профил на раб	Заоблени	Заоблени	Заоблени
3-12	Квалитет на површината	Не останува чипс, магла или кора од портокал итн.
3-13	Финиш од задната страна	Гравирани или LTO (5000±500A)
4	Пакување	Касета внатре, картонска кутија надвор.

Силиконски епитаксијални наполитанкипрвенствено се користат во производството на напредни полупроводнички уреди, високо интегрирани полупроводнички елементи IC, дискретни и моќни уреди, исто така се користат за елемент на диода и транзистор или подлога за IC како што се биполарен тип, MOS и BiCMOS уреди.Понатаму, повеќеслојните епитаксијални и густи филмски силиконски наполитанки EPI често се користат во примената на микроелектрониката, фотониката и фотоволтаиците.