Галиум антимонид GaSb

Опис

Галиум антимонид GaSb, полупроводник од соединенијата од групата III-V со структура на решетка од цинк-бленд, се синтетизира со 6N 7N елементи со висока чистота галиум и антимон, и прерасна во кристал со методот LEC од насочено замрзнат поликристален ингот или VGF метод со EPD<1000cm^-3.GaSb нафора може да се исече и потоа да се изработи од еднокристален ингот со висока униформност на електричните параметри, единствена и постојана решеткаста структура и мала густина на дефекти, највисок индекс на прекршување од повеќето други неметални соединенија.GaSb може да се обработи со широк избор во точна или исклучена ориентација, ниска или висока допирана концентрација, добра завршна површина и за епитаксијален раст MBE или MOCVD.Подлогата Галиум антимонид се користи во најсовремените фото-оптички и оптоелектронски апликации како што се изработка на фото-детектори, инфрацрвени детектори со долг век на траење, висока чувствителност и сигурност, компонента фотоотпорност, инфрацрвени LED диоди и ласери, транзистори, термални фотонапонски ќелии и термо-фотоволтаични системи.

Испорака

Галиум антимонид GaSb во Western Minmetals (SC) Corporation може да се понуди со n-тип, p-тип и неопределена полуизолациона спроводливост во големина од 2" 3" и 4" (50mm, 75mm, 100mm) дијаметар, ориентација <111> или <100>, и со обланда површинска завршница од како исечени, гравирани, полирани или висококвалитетни завршетоци подготвени со епитакси.Сите парчиња се поединечно ласерски пишани за идентитет.Во меѓувреме, поликристалната грутка на галиум антимонид GaSb е исто така приспособена по барање на совршено решение.

Прашај сега

Детали

Тагови

Техничка спецификација

Галиум антимонид

GaSb

Галиум антимонид GaSbподлогата се користи во најсовремените фото-оптички и оптоелектронски апликации, како што се изработка на фото-детектори, инфрацрвени детектори со долг век на траење, висока чувствителност и доверливост, компонента за фоторезист, инфрацрвени LED диоди и ласери, транзистори, термални фотоволтаични ќелии и термо -фотоволтаични системи.

	Предмети	Стандардна спецификација
1	Големина	2"	3"	4"
2	Дијаметар mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Метод на раст	LEC	LEC	LEC
4	Спроводливост	P-тип/Zn-допиран, не-допиран, N-тип/Те-допиран
5	Ориентација	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Дебелина μm	500±25	600±25	800±25
7	Ориентација Рамен mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Идентификација Рамен mm	8±1	11±1	18±1
9	Мобилност cm2/Vs	200-3500 или по потреба
10	Концентрација на носач cm-3	(1-100)E17 или по потреба
11	TTV μm макс	15	15	15
12	Лак μm макс	15	15	15
13	Искривување μm макс	20	20	20
14	Густина на дислокација cm-2 max	500	1000	2000 година
15	Површинска завршница	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Пакување	Единечен сад за нафора затворен во алуминиумска кеса.

Линеарна формула	GaSb
Молекуларна тежина	191,48
Кристална структура	Мешавина од цинк
Изглед	Сива кристална цврстина
Точка на топење	710°C
Точка на вриење	N/A
Густина на 300K	5,61 g/cm³
Енергетски јаз	0,726 eV
Внатрешна отпорност	1E3 Ω-cm
CAS број	12064-03-8
EC број	235-058-8

Галиум антимонид GaSbво Western Minmetals (SC) Corporation може да се понуди со n-тип, p-тип и непрекината полуизолациона спроводливост во големина од 2" 3" и 4" (50mm, 75mm, 100mm) дијаметар, ориентација <111> или <100 >, и со обланда површинска завршница од како сечени, гравирани, полирани или висококвалитетни завршетоци подготвени со епитакси.Сите парчиња се поединечно ласерски пишани за идентитет.Во меѓувреме, поликристалната грутка на галиум антимонид GaSb е исто така приспособена по барање на совршено решение.