Single Crystal Silicon Ingot Featured Image

Еднокристален силиконски ингот

Опис

Еднокристален силиконски инготis обично расте како голем цилиндричен ингот со прецизни технологии за допинг и влечење Czochralski CZ, Czochralski MCZ индуцирано од магнетно поле и методите на Floating Zone FZ.Методот CZ е најшироко користен за раст на силиконски кристали на големи цилиндрични инготи во дијаметар до 300 mm што се користи во електронската индустрија за производство на полупроводнички уреди.Методот MCZ е варијација на методот CZ во кој магнетно поле создадено од електромагнет, кое може да постигне релативно ниска концентрација на кислород, помала концентрација на нечистотија, помала дислокација и униформа варијација на отпорноста.FZ методот го олеснува постигнувањето на висока отпорност над 1000 Ω-cm и кристал со висока чистота со ниска содржина на кислород.

Испорака

Еднокристален силиконски ингот CZ, MCZ, FZ или FZ NTD со спроводливост од n-тип или p-тип во Western Minmetals (SC) Corporation може да се испорача во големина од 50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm и 200 mm дијаметар (2, 3 , 4, 6 и 8 инчи), ориентација <100>, <110>, <111> со површина заземјена во пакување пластична кеса внатре со картонска кутија надвор, или како приспособена спецификација за да се постигне совршено решение.

Прашај сега

Детали

Тагови

Техничка спецификација

Еднокристален силиконски ингот

Еднокристален силиконски ингот CZ, MCZ, FZ или FZ NTDсо n-тип или p-тип спроводливост во Western Minmetals (SC) Corporation може да се испорача во големина од 50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm и 200 mm дијаметар (2, 3, 4, 6 и 8 инчи), ориентација <100 >, <110>, <111> со површина заземјена во пакување пластична кеса внатре со картонска кутија надвор, или како приспособена спецификација за да се постигне совршено решение.

бр.	Предмети	Стандардна спецификација
1	Големина	2", 3", 4", 5", 6", 8", 9,5", 10", 12"
2	Дијаметар mm	50.8-241.3, или по потреба
3	Метод на раст	CZ, MCZ, FZ, FZ-NTD
4	Тип на спроводливост	P-тип / бор допингуван, N-тип / фосфид допингуван или не-допиран
5	Должина mm	≥180 или по потреба
6	Ориентација	<100>, <110>, <111>
7	Отпорност Ω-cm	Како што се бара
8	Содржина на јаглерод a/cm³	≤5E16 или по потреба
9	Содржина на кислород a/cm³	≤1E18 или по потреба
10	Контаминација со метал a/cm³	<5E10 (Cu, Cr, Fe, Ni) или <3E10 (Al, Ca, Na, K, Zn)
11	Пакување	Пластична кеса внатре, кутија од иверица или картонска кутија надвор.

Симбол	Si
Атомски број	14
Атомска тежина	28.09
Категорија на елементи	Металоиден
Група, период, блок	14, 3, П
Кристална структура	Дијамант
Боја	Темно сиво
Точка на топење	1414°C, 1687,15 К
Точка на вриење	3265°C, 3538,15 К
Густина на 300K	2,329 g/cm³
Внатрешна отпорност	3,2E5 Ω-cm
CAS број	7440-21-3
EC број	231-130-8

Еднокристален силиконски ингот, кога целосно се одгледува и квалификува неговата отпорност, содржина на нечистотија, кристално совршенство, големина и тежина, се заземјуваат со помош на дијамантски тркала за да се направи совршен цилиндар до вистинскиот дијаметар, а потоа се подложува на процес на офорт за да се отстранат механичките дефекти оставени од процесот на мелење. .Потоа, цилиндричниот ингот се сече на блокови со одредена должина и добива засек и основно или секундарно рамно со автоматизирани системи за ракување со нафора за усогласување за да се идентификува кристалографската ориентација и спроводливост пред процесот на сечење нафора низводно.